发明名称 | 磁记录介质、磁存储装置和制造磁记录介质的方法 | ||
摘要 | 一种制造磁记录介质的方法,该方法包括在基底上形成底层,然后在底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层。第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合,并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化。底层在包含氮气的气氛中由具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金制成。 | ||
申请公布号 | CN1652214A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
申请号 | CN200510007029.3 | 申请日期 | 2005.02.02 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 村尾玲子;铃木政也 |
分类号 | G11B5/84;G11B5/66 | 主分类号 | G11B5/84 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
主权项 | 1、一种制造磁记录介质的方法,该方法包括以下步骤:(a)在基底上形成第一底层;和(b)在第一底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层,所述第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合,并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化,所述步骤(a)在包含氮气的气氛中用具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金形成第一底层。 | ||
地址 | 日本神奈川县川崎市 |