主权项 |
1.一种集成电路中形成单晶内连接线的形核和生长温度的预测方法,其特征是当内连接线材料、设计长度确定之后,形成单晶内连接线所需的工艺温度按以下公式求得:<math> <mrow> <mi>L</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>K</mi> <mi>L</mi> </msub> <mi>Δ</mi> <msup> <mi>T</mi> <mn>2</mn> </msup> </mrow> <mrow> <mn>4</mn> <msub> <mi>T</mi> <mi>m</mi> </msub> </mrow> </mfrac> <mo>·</mo> <mfrac> <mrow> <mn>3</mn> <msub> <mi>V</mi> <mi>m</mi> </msub> <mi>R</mi> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mi>h</mi> <msub> <mi>H</mi> <mi>m</mi> </msub> <msub> <mi>S</mi> <mi>vir</mi> </msub> </mrow> </mfrac> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>+</mo> <mn>6</mn> <mi>T</mi> </mrow> <mrow> <mn>7</mn> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <msup> <mi>r</mi> <mo>*</mo> </msup> <mrow> <msup> <mi>r</mi> <mo>*</mo> </msup> <mo>-</mo> <mn>1.5</mn> <mi>h</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>·</mo> <mfrac> <msub> <mi>h</mi> <mi>p</mi> </msub> <mi>nkT</mi> </mfrac> <mo>·</mo> <mi>exp</mi> <mfrac> <mrow> <mo>[</mo> <mi>G</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msup> <mi>r</mi> <mo>*</mo> </msup> <mo>,</mo> <mi>T</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>+</mo> <mi>E</mi> <mo>]</mo> </mrow> <mi>RT</mi> </mfrac> </mrow> </math> 式中G(r*,T)由G(r,T)/r=0得到临界晶核尺寸r*,并把r*值代入G(r,T)表达式中求得。其中G(r,T)表达式为:<math> <mrow> <mi>G</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>r</mi> <mo>,</mo> <mi>T</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mo>[</mo> <mo>-</mo> <mfrac> <mrow> <mn>4</mn> <mi>π</mi> <mo>·</mo> <msup> <mi>r</mi> <mn>3</mn> </msup> </mrow> <mrow> <mn>3</mn> <msub> <mi>V</mi> <mi>m</mi> </msub> </mrow> </mfrac> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>H</mi> <mi>m</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>-</mo> <mi>T</mi> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>m</mi> </msub> </mfrac> <mfrac> <mrow> <mn>7</mn> <mi>T</mi> </mrow> <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>+</mo> <mn>6</mn> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>+</mo> <mn>4</mn> <mi>π</mi> <mo>·</mo> <msup> <mi>r</mi> <mn>2</mn> </msup> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <mi>h</mi> <msub> <mi>H</mi> <mi>m</mi> </msub> <msub> <mi>S</mi> <mi>Vib</mi> </msub> </mrow> <mrow> <mn>3</mn> <mi>R</mi> <msub> <mi>V</mi> <mi>m</mi> </msub> </mrow> </mfrac> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <mfrac> <mrow> <mn>3</mn> <mi>h</mi> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mi>r</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mn>7</mn> <mi>T</mi> </mrow> <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>+</mo> <mn>6</mn> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mo>]</mo> </mrow> </math> <math> <mrow> <mo>×</mo> <mfrac> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mn>2</mn> <mo>+</mo> <mi>cos</mi> <mi>θ</mi> <mo>)</mo> </mrow> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <mi>cos</mi> <mi>θ</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> </mrow> <mn>4</mn> </mfrac> </mrow> </math> 式中,L为在某一过冷度下的生长长度;KL为内连接线材料熔融体的热传导率;Tm为内连接线材料的块体的熔点;T为形成单晶内连接线所需的工艺温度;ΔT(=Tm-T)为过冷度;θ为相应内连接线材料润湿SiO2的接触角;R为气体常数;Vm为摩尔体积;h为原子直径;r*为凝固形核时的临界晶核半径;Hm为摩尔熔化焓;Svir为振动熔化熵;hp为普朗克常数;k为玻尔滋曼常数;n为给定体积的凹槽中内连接线材料的原子个数;G(r*,T)为熔融体形核所需要的功;E为扩散激活能。 |