| 发明名称 | 用于半导体生产设备的净化气 | ||
| 摘要 | 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使SF<SUB>6</SUB>和F<SUB>2</SUB>、NF<SUB>3</SUB>中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；(2)用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合SF<SUB>6</SUB>和F<SUB>2</SUB>、NF<SUB>3</SUB>中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到；(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法；(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气，可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。 | ||
| 申请公布号 | CN1214444C | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN01802037.2 | 申请日期 | 2001.07.17 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 大野博基;大井敏夫;吉田修二;大平学;田中耕太郎 |
| 分类号 | H01L21/00;C23C16/44;B08B7/00;C23F1/12 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈剑华 |
| 主权项 | 1.用于去除半导体生产设备中的沉积物的净化气，它含有惰性气体和选自SF6、F2、NF3中的至少两种，但排除惰性气体与F2和NF3的组合。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||