| 发明名称 | 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺 | ||
| 摘要 | 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。 | ||
| 申请公布号 | CN1652418A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200410003647.6 | 申请日期 | 2004.02.05 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 路秀真;常秀兰;李成明;刘峰奇;王占国 |
| 分类号 | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/042 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||