发明名称 一种薄膜晶体管与液晶显示器的制造方法
摘要 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法,首先在基板上形成一图案化介电层,然后在基板上形成一金属层,并覆盖图案化介电层。接着对金属层进行一平坦化步骤,直到暴露出图案化介电层的表面,其中保留下来的金属层即是栅极。之后,在图案化介电层与栅极上形成栅绝缘层,并且在栅极上方的栅绝缘层上形成半导体层。最后,在半导体层上形成源极以及漏极。本发明因采用镶嵌工序替代现有技术中光刻与刻蚀的工序,增加金属层的材质选择性。此外,在薄膜晶体管的制造过程中使用镶嵌工序,便能采用电阻值较低的金属,因而提高了薄膜晶体管以及应用此薄膜晶体管的液晶显示器的效能。
申请公布号 CN1652003A 申请公布日期 2005.08.10
申请号 CN200510056841.5 申请日期 2005.03.22
申请人 广辉电子股份有限公司 发明人 李豪捷;徐启训
分类号 G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/027;G09F9/35 主分类号 G02F1/136
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 任默闻
主权项 1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于包括:在一基板上形成一第一图案化介电层;在所述基板上形成一第一金属层,并覆盖所述第一图案化介电层;对所述第一金属层进行一平坦化步骤,直到所述第一图案化介电层表面暴露出,其中保留下来的所述第一金属层就是一栅极;在所述第一图案化介电层与所述栅极上形成一栅绝缘层;在所述栅极上方的所述栅绝缘层上形成一半导体层;以及在该半导体层上形成一源极以及一漏极。
地址 台湾省桃园县