发明名称 |
一种薄膜晶体管与液晶显示器的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法,首先在基板上形成一图案化介电层,然后在基板上形成一金属层,并覆盖图案化介电层。接着对金属层进行一平坦化步骤,直到暴露出图案化介电层的表面,其中保留下来的金属层即是栅极。之后,在图案化介电层与栅极上形成栅绝缘层,并且在栅极上方的栅绝缘层上形成半导体层。最后,在半导体层上形成源极以及漏极。本发明因采用镶嵌工序替代现有技术中光刻与刻蚀的工序,增加金属层的材质选择性。此外,在薄膜晶体管的制造过程中使用镶嵌工序,便能采用电阻值较低的金属,因而提高了薄膜晶体管以及应用此薄膜晶体管的液晶显示器的效能。 |
申请公布号 |
CN1652003A |
申请公布日期 |
2005.08.10 |
申请号 |
CN200510056841.5 |
申请日期 |
2005.03.22 |
申请人 |
广辉电子股份有限公司 |
发明人 |
李豪捷;徐启训 |
分类号 |
G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/027;G09F9/35 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于包括:在一基板上形成一第一图案化介电层;在所述基板上形成一第一金属层,并覆盖所述第一图案化介电层;对所述第一金属层进行一平坦化步骤,直到所述第一图案化介电层表面暴露出,其中保留下来的所述第一金属层就是一栅极;在所述第一图案化介电层与所述栅极上形成一栅绝缘层;在所述栅极上方的所述栅绝缘层上形成一半导体层;以及在该半导体层上形成一源极以及一漏极。 |
地址 |
台湾省桃园县 |