| 发明名称 | 体半导体的鳍状FET器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种从体半导体晶片(200)形成鳍(210)状场效应晶体管(FET)同时改善各晶片之间的器件一致性的器件结构和方法。具体地说，本发明提供了保证鳍高度一致的高度控制层(212)，诸如基片(200)的一个受损部分或一个标志层。此外，本发明提供鳍(210)之间的隔离(214)，这还通过相对于鳍侧壁的氧化部分(216)选择性氧化基片的一部分(212)，使鳍宽度得到优化和变窄。本发明的器件结构和方法因此具有可以用高效益的体晶片一致地制造finFET的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1653608A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03811169.1 | 申请日期 | 2003.06.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·M.·弗雷德;爱德华·J.·诺瓦克;贝思·安·雷尼;德温得拉·K.·萨达纳 |
| 分类号 | H01L21/8232 | 主分类号 | H01L21/8232 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李颖 |
| 主权项 | 1.一种在半导体基片(200)中形成一个finFET的方法，所述方法包括下列步骤：从半导体基片(200)形成(102，104，106，108)一个鳍(210)；以及使基片(200)受到一种工艺(110，112，114)的处理，该工艺在使鳍(210)隔离的同时进一步限定鳍(210)的宽度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||