发明名称 | 氮化物半导体元件 | ||
摘要 | 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件,在半导体层上,具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极,其特征在于:第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区,接合层区由铂族元素构成。 | ||
申请公布号 | CN2717023Y | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
申请号 | CN200420003849.6 | 申请日期 | 2004.02.19 |
申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 杉本康宜;米田章法 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1.一种氮化物半导体元件,在半导体层上具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于上述第1电极的形状构成的第2电极,其特征在于:设置所述第1电极的半导体层表面具有电极形成区域和绝缘膜形成区域,所述第2电极从所述电极形成区域被覆到绝缘膜形成区域。 | ||
地址 | 日本德岛县 |