低温多晶硅薄膜晶体管

摘要

一种低温多晶硅薄膜晶体管，主要由顶盖层、多晶硅薄膜以及闸极所构成。其中顶盖层配置在基板上方，且其与基板间存在一间隙区。多晶硅薄膜配置在顶盖层上，并区分为通道区以及位于通道区两侧的源极/漏极区。其中通道区位于间隙区上方。而闸极则配置在通道区上方。由于通道区下方具有间隙区，因此在进行激光退火制程时，此处的热传导率较低，故硅原子具有较长的再结晶时间，以使通道区内形成较大尺寸的晶粒，进而减少通道区内的晶粒界面。且多晶硅薄膜中的晶粒的晶向均平行于电子在晶体管中的传输方向，所以能够提高晶体管的工作效能。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其适于配置在一基板上，其特征在于，该低温多晶硅薄膜晶体管包括：一顶盖层，其配置于该基板上方，其中该顶盖层与该基板之间具有一间隙区；一多晶硅薄膜，其配置于该顶盖层上，且该多晶硅薄膜包括一通道区以及一位于该通道区两侧的源极/漏极区，其中该通道区位于该间隙区上方；以及一闸极，其配置于该多晶硅薄膜的该通道区上方。