| 发明名称 | 等离子体辅助热处理 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于等离子体辅助热处理的方法和装置。该方法可以包括在等离子体催化剂(70)存在的情况下通过使气体受到电磁辐射在腔(14)中激发热处理等离子体，通过将该物体暴露与等离子体中加热该物体，以及维持将物体暴露于等离子体中足够长的时间周期，以改变该物体的至少一种材料特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1653851A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03810277.3 | 申请日期 | 2003.05.07 |
| 申请人 | 达纳公司 | 发明人 | S·库马尔;D·库马尔;M·L·大多尔蒂 |
| 分类号 | H05B1/02 | 主分类号 | H05B1/02 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种热处理物体的方法，该方法包括：在等离子体催化剂存在的情况下，通过使气体受到频率小于大约333GHz的电磁辐射在腔中激发热处理等离子体；通过将所述物体暴露于所述等离子体来加热所述物体；以及维持将所述物体暴露于所述等离子体中足够长的第一时间周期，以改变所述物体的至少一种材料特性。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||