陷入式只读非挥发性记忆体

摘要

本发明是关于一种陷入式只读非挥发性记忆体，其使用一反及闸型态的阵列结构，配置仅能程式化一次的只读记忆体。在阵列中的各记忆胞包括闸极端点、第一通道端点(源极/汲极)、第二个通道端点(汲极/源极)以及介于第一通道端点和第二通道端点之间的通道区域。电荷陷入结构，例如为一氮化硅层，形成在此通道区域之上。穿隧介电层设置于通道区域和电荷陷入结构之间，并且在电荷陷入结构和闸极端点之间设置阻挡介电层。此外，更应用电场辅助(Fowler－Nordheim，FN)穿隧效应程式化规则。

主权项

1、一种集成电路，其特征在于其包括：一记忆胞阵列，该阵列是以多个行与多个列的多个记忆胞配置成一反及闸阵列，该些行包括串联耦合至一位元线的一或多个记忆胞群组，且该些列包括多个记忆胞群组，各该些记忆胞群组的闸极端点连接至一字元线，该阵列中的各该些记忆胞，包括一闸极端点、一第一通道端点、一第二通道端点、介于该第一通道端点与该第二通道端点间的一通道区域、位于该通道区域之上的一电荷陷入结构、介于该通道区域与该电荷陷入结构之间的一穿隧介电层以及介于该电荷陷入结构与该闸极端点之间的一阻挡介电层；一第一电路，该第一电路是施加一正电压到该闸极端点，施加一低电压或接地到该第一通道端点及该第二通道端点，以产生一电场辅助穿隧效应穿过该穿隧介电层以程式化该阵列中的记忆胞；以及一第二电路，用以读取该记忆胞中的数据。