发明名称 | 铜和阻障层之整合化学机械抛光的方法和设备 | ||
摘要 | 一种抛光半导体晶圆表面上多个层的方法,其包括在抛光垫的第一部分上使用抛光溶液来抛光例如是铜的第一层,以及在抛光垫的另一部分上使用抛光溶液来抛光作为阻障层的另一层。每一层可使用不同或相同的抛光溶液。类似地,抛光垫的不同部分最好适用于抛光一个对应的晶圆层。抛光垫的不同部分可以位于相同的垫子上或是位于不同的垫子上。同时亦请求向单一抛光垫供应抛光溶液的两条不同供应线路的专利。 | ||
申请公布号 | CN1653600A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
申请号 | CN03810974.3 | 申请日期 | 2003.03.13 |
申请人 | ASM努突尔股份有限公司 | 发明人 | 哈马洋·达理;布兰特·巴萨尔;德格拉斯·杨;王育诚;图安·杜安鲁 |
分类号 | H01L21/321;B24B37/04 | 主分类号 | H01L21/321 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 周承泽 |
主权项 | 1.一种抛光半导体晶圆表面上多个层的方法,此方法包括下列步骤:在抛光垫的第一部份上使用抛光溶液来抛光第一层;以及在抛光垫的另一部份上使用抛光溶液来抛光另一层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |