| 发明名称 | 半导体器件的电容器、存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。 | ||
| 申请公布号 | CN1652336A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200510056566.7 | 申请日期 | 2005.01.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申尚旻;具俊谟;金锡必;赵重来 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/82;H01L21/28;H01L21/31 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种电容器，其包括：下电极，该下电极为由贵金属合金构成的单层；形成在所述下电极上的介质膜；以及形成在所述介质膜上的上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||