| 发明名称 | 具有薄膜晶体管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1652352A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200510054408.8 | 申请日期 | 1994.09.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 小沼利光;菅原彰;上原由起子;张宏勇;铃木敦则;大沼英人;山口直明;须泽英臣;鱼地秀贵;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/00;H01L21/82 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||