发明名称 | 研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层 | ||
摘要 | 一种研磨垫,稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易,厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子;以及没有由个体差异的质量偏差,可容易改变加工图案,可进行微细加工,形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子;以及可对应各种被研磨材料,能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒,由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成,并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20~1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。 | ||
申请公布号 | CN1651192A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
申请号 | CN200510054380.8 | 申请日期 | 2001.11.28 |
申请人 | 东洋橡膠工业株式会社 | 发明人 | 小野浩一;下村哲生;中森雅彦;山田孝敏;驹井茂;堤正幸 |
分类号 | B24B37/04;H01L21/304 | 主分类号 | B24B37/04 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
主权项 | 1、一种研磨垫用缓冲层,由研磨层和缓冲层构成,其特征在于,压缩回复率为90%以上。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |