发明名称 | 数据确定电路及数据确定方法 | ||
摘要 | 根据电位的变化实现对位线的电位的反馈控制。同时,先前在位线上读到的数据被暂时锁存在一个D型触发器中。由偏置电路确定的参考电压Vref通过利用一个补偿电路同时参考D型触发器中锁存的先前读到的数据的电平被补偿。以这种方式,从当前读到的数据获得偏置电压,并且基于该偏置电压,控制位线的电位。这样,实现高速数据确定操作,这在以前,当当前读到的数据关于在前一周期中读到的数据反向时曾经是个障碍。 | ||
申请公布号 | CN1214393C | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
申请号 | CN98114938.3 | 申请日期 | 1998.06.19 |
申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 桥口昭彦 |
分类号 | G11C11/34 | 主分类号 | G11C11/34 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
主权项 | 1.一种数据确定电路,用于通过一个半导体电路系统的数据线中的电流确定数据的电平,所述数据线连接到电流源的输出节点,所述数据确定电路包括:反馈控制电路,用于根据输出节点的电位的变化控制所述数据线的电位,包含:第一P型MOSFET、第一N型MOSFET和补偿电源,第一P型MOSFET的源极连接到电源,栅极连接到位线;第一N型MOSFET用作一个二极管,其漏极连接到第一P型MOSFET的漏极,其源极连接到地,补偿电源连接在位线与地之间;数据锁存电路,由一个D型触发器构成,用于暂时锁存先前在所述数据线上读到的数据,该D型触发器的输入端与代表所述位线的电平的一个输出节点相连,其输出端与一个反相器相连;以及补偿电路,用于基于在所述数据锁存电路中锁存的先前读到的数据的电平,在所述数据线上实现补偿操作,包含:第二N型MOSFET和第三N型MOSFET,其中第二N型MOSFET,用作一个二极管,其漏极连接到所述第一P型MOSFET和所述第一N型MOSFET的漏极,而第三N型MOSFET连接在第二N型MOSFET的源极和地之间,其栅极与所述反相器的输出相连。 | ||
地址 | 日本东京都 |