| 发明名称 | 半导体发光元件与保护元件的复合半导体装置 | ||
| 摘要 | 一直以来难以实现发光元件与保护元件的复合半导体装置的小型化。因而，本发明的复合半导体装置包括硅半导体衬底(1)、发光元件用的主半导体区(2)、第一电极(3)和第二电极(4)。硅半导体衬底(1)有保护元件形成区(7)。第一电极(3)有焊接焊盘部分(20)。从水平看时，保护元件形成区(7)配置在焊接焊盘部分(20)的内侧。第一电极(3)的焊接焊盘部分(20)和第二电极(4)用作发光元件和保护元件这两个的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1652346A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200510008142.3 | 申请日期 | 2005.02.02 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 佐藤纯治;大塚康二;杢哲次;加藤隆志;丹羽爱玲;神井康宏 |
| 分类号 | H01L27/15;H01L33/00 | 主分类号 | H01L27/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件与保护元件的复合半导体装置，其特征在于包括：具有一个主面和另一主面且具有导电性的衬底；具有可取出光的第一主面和与所述第一主面相对且与所述衬底的所述一个主面电气连接以及机械连接的第二主面并包含构成半导体发光元件的多个半导体层的主半导体区；具有与所述主半导体区的所述第一主面接触且可以取出从所述主半导体区发射的光的第一部分和与所述第一部分相连且有焊盘电极功能的第二部分的第一电极；与所述衬底相连的第二电极；以及在所述第一电极的所述第二部分和所述衬底另一主面之间配置且将所述第一电极和所述第二电极之间电连接的保护元件。 | ||
| 地址 | 日本新座市 | ||