一种场发射电子源器件及其制备方法

摘要

一种场发射电子源器件及其制备方法，它有封入真空容器内的场发射电子源和阳极，场发射电子源包括基片上的阴极、栅极及其间层结构，其特征是引出栅极电极的厚金属膜与阴极之间为绝缘层，而与厚金属膜相连的、具有大量微孔的薄金属膜与阴极之间为复合体层。上述的间层结构指位于阴极与栅极之间的绝缘层、半导体层、复合体层。上述的薄金属膜指厚度在50纳米以内、具有大量微孔的金属膜。其制备方法是利用微电子工艺在硅、玻璃等基板上的阴极上制备有复合材料层薄膜，再在上述的复合材料薄膜表面上有薄金属膜栅极，将上述器件与阳极密封在真空容器内而成。本发明工艺简单，结构合理，具有驱动电压低、发射电流密度高、电子束发散小，发射率高等优点。

主权项

1一种场发射电子源器件，它有封入真空容器(6)内的阳极(1)和包括基片(5)上的阴极(3)与栅极(2)及其间层结构组成的场发射电子源，其特征是与厚金属膜栅极(2)相连的、具有大量微孔的薄金属膜(7)与阴极(3)之间为复合体层(8)，且复合体层中的导电材料从薄金属膜(7)的微孔中暴露出来，所述的复合体层的电阻率不小于3Ω.cm-1。