| 发明名称 | 切割半导体晶片保护膜的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明一种切割半导体晶片保护膜的方法，其中将具有周边部分的半导体晶片置于一平台上，以将一保护膜贴敷在所述半导体晶片的一个表面上，然后，用一个切割刃切割该保护膜使其与所述半导体晶片的周边部分形状相吻合，该方法包括如下步骤：将所述切割刃与所述半导体晶体的侧面成倾斜；以及使所述平台和所述切割刃之一旋转，以沿着所述周边部分切割所述保护膜，使得所述保护膜不会突出所述半导体晶片的边缘。本发明还提供一种切割半导体晶片保护膜的装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1652298A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200510052572.5 | 申请日期 | 1998.05.29 |
| 申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 斋藤博;栗田刚;冈本光司 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/30;B26D1/01 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 赵辛 |
| 主权项 | 1.一种切割半导体晶片保护膜的方法，其中将具有周边部分的半导体晶片置于一平台上，以将一保护膜贴敷在所述半导体晶片的一个表面上，然后，用一个切割刃切割该保护膜使其与所述半导体晶片的周边部分形状相吻合，该方法包括如下步骤：将所述切割刃与所述半导体晶体的侧面成倾斜；以及使所述平台和所述切割刃之一旋转，以沿着所述周边部分切割所述保护膜，使得所述保护膜不会突出所述半导体晶片的边缘。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||