快闪记忆胞元及制造方法

摘要

记忆胞元－形成穿隧晶体管－具有一各别的漂浮栅极(7)以及一控制栅极(9)，该个别漂浮栅极(7)以及该控制栅极(9)乃位在源极以及漏极掺杂区(14)之间的一信道区上的一沟槽壁中，而被该等记忆胞元具有一栅极(12)，其配置在一另外的沟槽中，通过该栅极，位在介于沟槽之间的一半导体脊状部(13)中的信道区域可以可被驱动。栅极(12)的栅极氧化物(11)可能被做成非常薄，因此，如果经由栅极驱动，尽管是维持好的数据，一高读取电流仍可被获得。

主权项

1.一种快闪记忆胞元具有一沟槽(5)，形成于一半导体主体或一半导体层(3)的一顶部侧边，一漂浮栅极(7)，配置于该沟槽(5)且与全部侧边衔接，该漂浮栅极藉由一第一介电层(6)而与该沟槽的一侧壁的半导体材料绝缘，一控制栅极(9)，配置在沟槽中，该控制栅极藉由一第二介电层(8)而与该漂浮栅极(7)绝缘且具有一有电的铅，以及掺杂区(14)，用于源极以及漏极，配置在沟槽的一纵方向的侧壁的半导体材料中，乃在漂浮栅极(7)两侧彼此之间具有一距离，该掺杂区具有接点连接且电传导连接到一各别的位线(18)，其中一另外的沟槽(15)乃与该沟槽(5)平行配置，其配置位置至具有漂浮栅极(7)的侧壁有一小段距离，因此一窄半导体脊状部(13)便出现在沟槽(5，15)之间，且一栅极(12)乃被配置在半导体脊状部(13)的一侧壁上的另外的沟槽(15)中，并与漂浮电极(7)相对，且藉由一第三介电层(11)半导体材料绝缘，且具有一有电的铅。