发明名称 二级或芳香C-H环状烃键的选择性的、催化的、热致的官能化反应
摘要 一种在二级或芳香C-H环状烃键处官能化环状烃的方法,包括使官能化试剂和环状烃在催化剂的存在下发生热致反应,所述催化剂包括:a)铑源;b)3~8的、环状或非环状的、芳族或非芳族的、中性、阳离子或阴离子的、取代或非取代的电子给体片断源,它在热反应条件下不会离解;和c)能形式上给予铑电子对的配体源,并且它热离解;并且其中所述官能化试剂包含硼源。
申请公布号 CN1214033C 申请公布日期 2005.08.10
申请号 CN01807303.4 申请日期 2001.03.01
申请人 国际壳牌研究有限公司;耶鲁大学 发明人 陈惠远;J·F·哈特威格;T·C·赛姆普
分类号 C07F5/02;C07B47/00;B01J31/22 主分类号 C07F5/02
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 郭建新
主权项 1.一种在二级或芳香C-H环状烃键处官能化环状烃的方法,包括使官能化试剂和环状烃在催化剂的存在下发生热致反应,所述催化剂包括:a)铑源;b)3~8的、η2-η8配位的环状的、芳族或非芳族的、中性或阴离子的、取代或非取代的电子给体片断源,它在热反应条件下不会离解;和c)能形式上给予铑电子对的配体源,并且它热离解,选自三烷基硅烷、不饱和脂肪族化合物、π烯丙基化合物或π芳烃化合物,前提条件是当环状烃是环烷烃时,所述π芳烃化合物:(i)在直接键合到铑的片断上,缺少芳族C-H键,或(ii)在直接键合到铑的片断上,含有空间位阻的芳族C-H键;并且其中所述官能化试剂选自硼烷基化物、硼芳基化物、有机硼氢化物或有机硼卤化物源。
地址 荷兰海牙
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