| 发明名称 | 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，包括如下工艺步骤：a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光；c)双面生长掩膜层，并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层；d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面，并制作上下电极；以及e)最后生长上下布拉格反射镜，形成共振腔探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN1652326A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200410004027.4 | 申请日期 | 2004.02.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李传波;毛容伟;左玉华;成步文;余金中;王启明 |
| 分类号 | H01L21/84;H01L31/18;H01L31/105;H01L33/00;H01S5/183;H01S5/30 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光；c)双面生长掩膜层，并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层；d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面，并制作上下电极；以及e)最后生长上下布拉格反射镜，形成共振腔探测器。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||