| 发明名称 | 等离子体反应室用硅部件 | ||
| 摘要 | 提供半导体加工设备的硅部件，所述硅部件包含低浓度的在硅中的移动性高的金属杂质。硅部件包括，例如圆环、电极和电极组合件。硅部件可减少在等离子体气氛中加工的晶片的金属污染。 | ||
| 申请公布号 | CN1653589A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03811282.5 | 申请日期 | 2003.03.21 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 任大星;杰罗姆·S·休贝塞克;尼古拉斯·E·韦伯 |
| 分类号 | H01L21/00;C23C16/44;H01J37/32;H01L21/30;H01L21/316;H01L21/306;H01J1/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1、一种生产半导体加工设备的硅部件的方法，包括：从硅材料切下硅板，以致在切割过程中，金属杂质附着于硅板的切割面上；用溶液至少处理硅板的切割面，以便从切割面至少除去一些金属杂质；和可选地对处理后的硅板退火。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||