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发明名称 FABRICATION METHOD OF A MOS TRANSISTOR HAVING A TOTAL SILICIDE GATE
摘要
申请公布号 KR20050079187(A) 申请公布日期 2005.08.09
申请号 KR20040007359 申请日期 2004.02.04
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, SEUNG HWAN;RHEE, HWA SUNG;YOO, JAE YOON;LEE, HO;KIM, HYUN SUK
分类号 H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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