TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A MODE DEPLETION ET A MODE ENRICHISSEMENT MONOLITHIQUEMENT INTEGRES ET PROCEDE POUR LES FABRIQUER

摘要

Un transistor à effet de champ (FET) à mode déplétion (mode D)(2) est monolithiquement intégré à un FET à mode enrichissement (mode E) (103) dans une structure multicouche (105). La structure multicouche (105)comprend une couche de canal (16) recouverte par une couche d'arrêt (107) recouverte par une couche de contact ohmique. Des contacts de drain (38) et de source (40) des FET à mode D et à mode E sont couplés à la couche de contact ohmique. Un contact de grille des FET à mode D et à mode E est couplé à la couche d'arrêt. Une zone amorphisée est fournie sous le contact de grille à mode E (111) à l'intérieur de la couche d'arrêt. La zone amorphisée constitue un contact Schottky à mode E enfoui avec la couche d'arrêt (107). Un autre mode de réalisation couple le contact de grille du transistor à mode D(30) à une première couche qui recouvre la couche d'arrêt, et fournit une zone amorphisée à mode D similaire à l'intérieur de la première couche.