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经营范围
发明名称
NAND type magnetoresistive random access memory
摘要
申请公布号
KR100506060(B1)
申请公布日期
2005.08.05
申请号
KR20020080181
申请日期
2002.12.16
申请人
发明人
分类号
G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/15
主分类号
G11C11/15
代理机构
代理人
主权项
地址
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