具有铅直晶体管及渠沟电容内存胞元之动态随机存取内存及其制造方法

摘要

一种半导体动态随机存取内存(DRAM)胞元之制造方法，其系利用形成于一铅直渠沟内部之一铅直存取晶体管及一储存电容器。一浅渠沟绝缘区域(STI)系用以做为一罩幕区域，藉以将这个存取晶体管之信道区域、这个存取晶体管之第一及第二输出区域、及连接这个第二输出区域至这个储存电容器之一束带区域局限为这个渠沟之一窄部。这个存取晶体管之第二局限输出区域，对于相邻内存胞元之类似第二输出区域，系具有较小之电性泄漏。因此，相邻内存胞元便可以彼此更接近地放置，并且不会增加相邻内存胞元间之泄漏或干扰。

主权项

1.一种内存胞元数组，其中，各个内存胞元系形成于具有一顶表面之一半导体主体里面或表面，各个内存胞元系具有一铅直场效晶体管，该场效晶体管系具有一闸极及利用一信道区域分开之第一及第二输出区域，及一电容器，该电容器系形成于该半导体主体之一渠沟内部，其中，该电容器之一第一电板系部分环绕一绝缘层、并经由一束带区域耦接至该第二输出区域，且其中，该绝缘层系环绕该第一电板之所有侧边，除了该第一电板之一侧边之一选定部分外，藉以使该第二输出区域能够横向限制，该第二输出区域系由该束带区域及该第一电板之杂质外扩形成，进而限制相邻内存胞元之第二输出区域间之电性泄漏。