半导体晶片及其制造方法

摘要

在半导体晶片上形成多个IC区域，该半导体晶片被分割为包含IC的单个芯片，其中在硅衬底上依次形成连线层和绝缘层。为了降低IC和划片线之间的高度差，形成平面绝缘层以覆盖关于IC、密封环和划片线的整个表面。为了避免在IC中出现断裂和故障，以阶梯状的方式形成开口从而部分地蚀刻绝缘层，使得每个所述开口的壁均以20°至80°的指定角度倾斜。为了防止水分和其他杂质渗入用于测试IC的监测元件中，用二级密封环围绕监测元件，二级密封环通过顺序形成金属层和氧化层以及通孔来构成，通过所述通孔，氧化层被部分地中断。

主权项

1.一种半导体晶片，在该半导体晶片上形成有通过划片区域划分的多个IC区域以实现具有多层结构的IC，并且在所述IC的外围区域中形成有多个密封环，其中对于每个所述IC区域，最上层连线层是与形成在所述密封环中的金属层一起形成的，平面绝缘层形成为用以覆盖所述金属层、所述IC和所述划片区域，并且钝化膜形成在所述平面绝缘层上。