半导体激光及其制造方法

摘要

一种半导体激光器，其具有：衬底；至少具有活性层的层积体；上述层积体上的脊带部；设于上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面的电流阻止层；覆盖上述脊带部的上面以及上述电流阻止层的镀敷金属层。该镀敷金属层的脊带部的两侧的层厚比脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量，因此，镀敷金属层的上面是大致平坦的。

主权项

1、一种半导体激光器，其特征在于，具有：衬底；设于该衬底上并至少具有活性层的层积体；具有在该层积体上顺次层积的涂敷层以及接触层并形成电流通路的脊带部；设于该脊带部的侧面以及所述脊带部的横侧的所述层积体的上面并由电介质构成的电流阻止层；覆盖所述脊带部的上面以及所述电流阻止层的镀敷金属层，该镀敷金属层的上面是大致平坦的。