发明名称 具有高密度互连层的电子封装件
摘要 电子封装件及其制造方法。此封装件包括半导体芯片和多层互连结构。半导体芯片包括其一个表面上的多个接触部件。此多层互连结构适合于将半导体芯片电互连到电路化衬底,且包括由选定材料组成的导热层,从而基本上防止导电元件与半导体芯片之间焊料连接的失效。此电子封装件还包括具有确保多层互连结构在工作过程中足够柔顺的有效模量。烯丙基化的表面层具有能够承受电子封装件热循环操作过程中出现的热应力的性质。
申请公布号 CN1213479C 申请公布日期 2005.08.03
申请号 CN00119921.8 申请日期 2000.06.30
申请人 国际商业机器公司 发明人 小弗朗西斯·J·唐斯;唐纳德·S·法夸尔;伊丽莎白·福斯特;罗伯特·M·雅皮;杰拉尔德·W·琼斯;约翰·S·克雷斯吉;罗伯特·D·塞贝斯塔;戴维·B·斯通;詹姆斯·R·威尔科克斯
分类号 H01L23/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种多层互连结构,它包含:包括相反的第一和第二表面的导热层;分别位于导热层的相反的第一和第二表面上的第一和第二介电层;分别位于所述第一和第二介电层上的多个第一和第二导电元件;所述第一介电层中的第一导电层;所述第一介电层中且位于所述第一导电层与所述导热层之间的第二导电层,其中所述第二导电层包含多个第一屏蔽信号导体;通过电连接到所述多个第一导电元件中的至少一个元件、电连接到至少一个所述多个第一屏蔽信号导体、以及电连接到所述多个第二导电元件中的至少一个元件的多层互连结构的电镀通孔;以及位于所述第一介电层和部分所述多个第一导电元件上的第三介电层,所述第三介电层覆盖所述电镀通孔,且其中所述第三介电层包括用来提供从第一电子器件到多个第一屏蔽信号导体的电路的第一高密度互连层。
地址 美国纽约