| 发明名称 | 半导体晶片的保护方法及半导体晶片保护用粘着膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法及用于该保护方法的半导体晶片保护用粘着膜。该保护方法具备把在基材膜的一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。通过该半导体晶片保护方法，即使对半导体晶片进行薄层化至厚度小于等于150μm左右，也能够矫正半导体晶片的翘曲，防止晶片输送时的破损。 | ||
| 申请公布号 | CN1649099A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN200510002444.X | 申请日期 | 2005.01.20 |
| 申请人 | 三井化学株式会社 | 发明人 | 小清水孝信;片冈真;宫川诚史;福本英树;才本芳久 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/304;H01L21/68;H01L21/00;C09J7/02 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法，其特征在于，具备把在基材膜一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||