半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。在蓝宝石基板(1)上依次形成n型GaN层(2)、InGaN多量子阱活性层(3)、p型AlGaN电子势垒层(4)、p型AlGaN/GaN应变超晶格层(5)以及p型GaN接触层(6)。通过以在p型GaN接触层(6)的光取出部上具备开口的方式形成p侧欧姆电极(7)。在p型GaN接触层(6)的光取出部，通过使用甲醇、氟酸、以及过氧水的混合溶液的湿式蚀刻，而形成多孔结构(9)。因此，这种半导体发光元件，无需使用微细光刻技术或者干式蚀刻技术，而光取出效率高且放射图案良好。

主权项

1.一种半导体发光元件，通过对包含活性层的多个半导体层进行叠层而构成，其特征是：对所述多个半导体层中的、具有成为用于从所述活性层取出光的光取出面的表面的半导体层的至少一部分进行多孔化处理。