| 发明名称 | 制造重掺杂半导体晶圆的工艺，及无位错、重掺杂半导体晶圆 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造重掺杂半导体晶圆的工艺，在该工艺中，掺杂使用至少两种电气性活跃的并且属于元素周期系统同一族的掺杂剂。本发明还涉及一种无位错并且用至少两种掺杂剂掺杂的半导体晶圆，所述掺杂剂是电气性活跃的并且属于元素周期系统的同一族。 | ||
| 申请公布号 | CN1649092A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN200510006833.X | 申请日期 | 2005.01.28 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 鲁珀特·克劳特鲍尔;埃里希·格迈尔鲍尔;罗伯特·沃布赫纳;马丁·韦伯 |
| 分类号 | H01L21/22;H01L21/24 | 主分类号 | H01L21/22 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种用于制造重掺杂半导体晶圆的工艺，在该工艺中，至少使用两种掺杂剂来用于掺杂，其中所述掺杂剂是电气性活跃的并且属于元素周期系统的同一族。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||