发明名称 |
集成电路及程序化电荷储存存储单元的方法 |
摘要 |
一种电荷储存存储单元的电路及其自我收敛程序化的方法,此电荷储存存储单元例如是氮化物只读存储器或是浮置闸极闪存,其包括配置于基底上的源极与漏极、电荷储存组件与控制栅极。程序化电荷储存单元的方法,包括施加源极电压,此源极电压是具有增加有效启始电压的本体效应(bodyeffect)。而且,在操作期间,至少是在目标启始电压收敛的那一部分程序化操作期间,源极电压随着漏极电压增加,以调整热电子注入效率。其中,在操作期间,是施加选定的栅极电压,以建立目标启始电压。在多位存储单元中,是根据所储存的数据值以设定栅极电压,使电压可自我收敛在多个目标电压。 |
申请公布号 |
CN1649128A |
申请公布日期 |
2005.08.03 |
申请号 |
CN200410096502.5 |
申请日期 |
2004.11.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
徐子轩;吴昭谊 |
分类号 |
H01L21/82;H01L21/8239;G11C11/56;H01L27/10;H01L27/02 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种程序化电荷储存存储单元的方法,其特征在于:电荷储存存储单元具有配置在基底上的源极与漏极、电荷储存组件与控制栅极,该方法包括:施加相关于参考电压的栅极电压于控制栅极,施加相关于参考电压的源极电压在该源极上,施加相关于参考电压的漏极电压在该漏极上,以进行操作使电荷移转至电荷储存组件并建立该存储单元的启始电压;在操作中增加漏极电压;以及在操作中增加漏极电压的期间增加源极电压。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |