| 发明名称 | 发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构与光反射结构 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构与光反射结构。该发光二极管元件，包括元件基板、第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层、透明导电金属氧化物层、反射层与二电极。其中，第一型掺杂层配置于元件基板上，发光层配置于部分的第一型掺杂层上，且第二型掺杂层配置于发光层上，该第二型掺杂层与第一型掺杂层皆是由III－V族化合物半导体材料所构成。透明导电金属氧化物层是配置于第二型掺杂层上，且反射层配置于透明导电金属氧化物层上。该二电极是分别配置于反射层及第一型掺杂层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1649178A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN200410039028.2 | 申请日期 | 2004.01.21 |
| 申请人 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 许进恭;许世昌 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种发光二极管元件，其特征在于其包括：一元件基板；一第一型掺杂层，配置于该元件基板上；一发光层，配置于部分的该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上，该第二型掺杂层与该第一型掺杂层皆是由一III-V族化合物半导体材料所构成；一透明导电金属氧化物层，配置于该第二型掺杂层上，以作为一欧姆接触层；一反射层，配置于该透明导电金属氧化物层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||