离子注入机长寿命离子源

摘要

本发明涉及半导体制造离子注入工艺中所使用的离子注入机长寿命离子源。其包括：一离子源壳体、两支撑板、两端板、一反射极连接杆、一反射极、一引出板、一间热式阴极、一屏蔽筒、一加热电子枪、一热屏蔽板、两灯丝固定杆、源磁场励磁线包、一绝缘材料块和一送气管。本发明的优点是：采用间热式阴极工作方式，其使用寿命长，相当于以前一般离子源3－4倍的使用寿命；离子源放电稳定充分，等离子体密度大，多电荷产额高，稳定可靠性相对较好；结构相对稳定，热变形小。

主权项

1.一种离子注入机长寿命离子源，包括离子源壳体(1)、由两端板(3)和引出板(12)构成的离子源放电弧室，其特征在于所述离子源还包括反射极连接杆(4)、反射极(5)、引出板(6)、间热式阴极(7)、屏蔽筒(8)、加热电子枪(9)、热屏蔽板(10)、源磁场励磁线包(11)、右支撑板(12)、两灯丝固定杆(13)、绝缘材料块(14)和送气管(1 5)，所述离子源壳体(1)支撑放电弧室，所述放电弧室由左支撑板(2)和右支撑板(12)支撑，所述两端板(3)通过反射极连接杆(4)固定反射极(5)和间热式阴极(7)，所述间热式阴极(7)由屏蔽筒(8)固定于所述放电弧室的右侧，加热电子枪(9)通过热屏蔽板(10)和两灯丝固定杆(13)固定于屏蔽筒(8)内，两灯丝固定杆(13)由绝缘材料块(14)固定。