| 发明名称 | 具连接层之集成电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 解释其中由介电物质制成之中介层(160)被安置于两金属层(102及104)间之电路装置。该中介层(160)系以该连接层(102，104)间之每单位面积电容大于0.5fF/μm<SUP>2</SUP>之方式来设计。 | ||
| 申请公布号 | CN1650427A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN03809513.0 | 申请日期 | 2003.03.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·－J·巴思;J·霍尔滋 |
| 分类号 | H01L23/522 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 1.集成电路装置(10，100)，具有被安置于半导体衬底(12)中之组件，具有两连接层(102，104)，其各包含至少一导电连接区段(148，170)，其为导电连接至一组件之部分，及具有由至少一介电物质制成之一中介层(160，400)，该中介层系被安置于该连接层(102，104)之间，该中介层(160，400)可界定该连接层(102，104)间之每单位面积电容，其特征在于该中介层(160，400)系以该连接层(102，104)间之该每单位面积电容大于0.5fF/μm2或大于0.7fF/μm2或约2.0fF/μm2之方式来设计。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||