| 发明名称 | 光致抗蚀剂剥离方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光致抗蚀剂剥离方法，所述方法包括以下步骤：(I)在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上设置光致抗蚀剂图案，以该光致抗蚀剂图案为掩模，选择性地蚀刻低电介质层的步骤；(II)使经过上述步骤(I)的基板接触臭氧水及/或过氧化氢水的步骤；以及(III)使经过上述步骤(II)的基板接触至少含有季铵氢氧化物的光致抗蚀剂用剥离液的步骤。根据本发明，能够提供一种光致抗蚀剂剥离方法，在双金属镶嵌法等在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上形成微细图案的过程中，即使在不进行O<SUB>2</SUB>等离子去胶处理的处理过程中，也能够有效地剥离蚀刻后的光致抗蚀剂膜、蚀刻残渣，而且对低电介质层的介电常数无不良影响，防腐蚀性也优良。 | ||
| 申请公布号 | CN1650235A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN03809298.0 | 申请日期 | 2003.04.25 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 横井滋;胁屋和正;原口高之 |
| 分类号 | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304 | 主分类号 | G03F7/42 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1、一种光致抗蚀剂剥离方法，所述方法包括以下步骤：(I)以设置在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上的光致抗蚀剂图案为掩模，选择性地蚀刻低电介质层的步骤；(II)使经过所述步骤(I)的基板接触臭氧水及/或过氧化氢水的步骤；以及(III)使经过所述步骤(II)的基板接触至少含有季铵氢氧化物的光致抗蚀剂用剥离液的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||