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发明名称 MOS transistor of LDD structure and the fabrication method thereof
摘要
申请公布号 KR100505623(B1) 申请公布日期 2005.08.03
申请号 KR19990000538 申请日期 1999.01.12
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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