用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构

摘要

本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

主权项

1.一种形成用于半导体器件的互连线的方法，包括以下步骤：在一半导体衬底上形成一层间绝缘层，所述层间绝缘层由低k值的掺碳介电材料形成；在所述层间绝缘层上形成一氧化阻挡层；在所述氧化阻挡层上形成一氧化物覆盖层；形成一通过所述氧化物覆盖层、所述氧化阻挡层和所述层间绝缘层的通孔；以及在所述通孔之内形成一导电层图案。