金属接触结构与其制造方法

摘要

本发明提供一种具有金属接触的半导体器件。在较佳的实施例之中，提供一金属接触穿过内层介电层并与金属结构，例如晶体管的金属栅极作电接触。在金属接触与金属结构之间提供一导电层。所述导电层提供一个或多个功能以作为阻障层、连结层或蚀刻终止层。所述导电层较佳为元素金属、金属合金、金属氮化物、金属氧化物或由以上材料所形成的混合物。在另一个实施例之中，所述导电层由多晶硅组成。

主权项

1.一种半导体器件，所述器件至少包括：一半导体基底，所述半导体基底具有一晶体管形成于其上，所述晶体管具有一金属栅极；一内层介电层，所述内层介电层覆盖于所述金属栅极之上；以及一接触窗，所述接触窗穿过所述内层介电层到所述金属栅极而形成，其中所述接触窗之内填充一第一金属层，以及其中一导电层沉积于所述第一金属层与所述金属栅极之间。