| 发明名称 | 填充接触孔之方法及具接触孔之集成电路装置 | ||
| 摘要 | 提供一种方法，其中一基础层(50)于一保护气体下被沉积在一接触孔区域(30)内，该基础层包含做为主要成分之氮化物。于该基础层(50)之沉积之后，一覆盖层(54)于气体氮之下被沉积。结果产生一个容易制造且具有好的电子特性之黏着提升层。 | ||
| 申请公布号 | CN1650418A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN03809685.4 | 申请日期 | 2003.03.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | J·费斯特;K·普雷格;B·舒德尔 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种填充接触孔(20)之方法，其中一基础层(50)于一保护气体之下被沉积在至少一接触孔(20)之内，该基础层包括做为主要成份的氮化物并使气态氮离开接触孔(2)之底部(24)，且其中一覆盖层(54)于该基础层(5)沉积之后在气态氮之下被沉积于该接触孔(20)之内，该覆盖层包含做为主要成份之氮化物。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||