发明名称 |
用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料组合物 |
摘要 |
一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料组合物,用于集成电路制造。其特征在于导体浆料由50~80wt%的导电粉,1~15wt.%的无铅硼硅酸钡钙系玻璃粉,余量为有机媒介物组成。硼硅酸钡钙系玻璃粉的组分含量为(wt%):SiO<SUB>2</SUB> 10~30,B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 15~50,CaO15~45,BaO 10~30。Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 1~5,K<SUB>2</SUB>O 1~5,Na<SUB>2</SUB>O 1~10或再外加0.5CuO或TiO<SUB>2</SUB>。有机媒介物是由1~20(wt%)有机粘合剂和80~90(wt%)有机溶剂组成的。本发明特点是具有不含铅,由其制作的厚膜导体层表面电阻低,与氮化铝陶瓷衬底粘附力强等优点,适用于厚膜集成电路。 |
申请公布号 |
CN1213441C |
申请公布日期 |
2005.08.03 |
申请号 |
CN03115706.8 |
申请日期 |
2003.03.07 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
许昕睿;庄汉锐;李文兰;张宝林 |
分类号 |
H01B1/16;H01B1/00;C09D5/24;C09J9/02;H01L27/01 |
主分类号 |
H01B1/16 |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1.一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料组合物,其特征在于:(1)该组合物是由导电粉50~80wt%,硼硅酸钡钙系玻璃粉1~15wt%和余量为有机媒介物组成;(2)所述的导电粉系Cu、Ni、Al易氧化金属中一种或Ag、Au、Pt、Pd贵金属中一种或Ni-Cr、Ag-Pd、Au-Pd、Au-Pt合金中一种;(3)所述的硼硅酸钡钙系玻璃粉组成为:SiO2 10~30wt%,B2O3 15~50wt%,CaO 15~45wt%,BaO 10~30wt%,Al2O3 1~5wt%, k2O 1~5wt%,Na2O 1~10wt%;(4)所述的有机媒介物组成为:有机粘合剂1~20wt%,有机溶剂80~99wt%,所述的有机溶剂是乙烯乙二醇、乙醚、丙酮、β-萜品醇、特丁醇中的至少一种;所述的有机粘合剂是乙基纤维素、硝化纤维素、纤维素衍生物或聚甲基丙烯酸甲脂和聚丙烯酸脂中一种。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |