发明名称 Method for manufacturing ruthenium layer and method for metal-insulator-metal capacitor using the same
摘要
申请公布号 KR100505674(B1) 申请公布日期 2005.08.03
申请号 KR20030012044 申请日期 2003.02.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;C23C16/18;H01L21/02;H01L21/285;H01L21/8242;H01L21/8246;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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