以低功耗工作的半导体存储器

摘要

本发明的课题是，内部电源电路(100)在低功耗模式下通过经晶体管(214、224、234、244)将内部电源布线(118、128、138、166)的每一个与外部电源布线(90)或接地布线(95)导电性地连接，生成内部电源电压(VDDP、VDDS、VPP、VBB)。与此相对应，由于在低功耗模式下停止对参照电压发生电路(110、120、130、160)、缓冲电路(112、122、132)、内部电源电压发生电路(116、126)和电压升压电路(136)的工作电流的供给，故可削减内部电源电路(100)的功耗。

主权项

1.一种具有通常模式和低功耗模式的半导体存储器，其特征在于，具备：内部电路(10、50、60、70、75、80)，用来执行数据读出工作、数据写入工作和数据保持工作；第1外部电源布线(90)，接受第1外部电源电压(Ext.Vdd)的供给；第2外部电源布线(95)，接受比上述第1外部电源电压低的第2外部电源电压(Vss)的供给；模式寄存器(65)，用来保持伴随第1指令(MRS)从外部输入的模式设定，上述模式设定包含是否进行从上述通常模式转移到上述低功耗模式的指定，在上述模式设定中指定了进行上述转移的情况下，响应于第2指令(SREF、DPE)开始上述低功耗模式；内部电源布线(118、128、138、168)，用来对上述内部电路传递内部电源电压(VDDP、VDDS、VPP、VBB、VCP、VBL)；以及内部电源电路(100)，接受上述第1和第2外部电源电压，生成上述内部电源电压，上述内部电源电路包含：参照电压生成部(110、120、130)，用来接受上述第1和第2外部电源电压，生成与上述内部电源电压的目标电平对应的参照电压；第1电流隔断开关(252)，用来在上述低功耗模式时隔断上述参照电压生成部的工作电流；内部电源电压发生部(116、126、136、160)，在上述通常模式时，根据上述内部电源电压与上述参照电压的比较，将上述内部电源电压维持为上述目标电平，同时在上述低功耗模式时停止工作；以及连接开关(214、224、234、244)，用来在上述低功耗模式时将上述第1和第2外部电源布线的一方与上述内部电源布线导电性地连接。