| 发明名称 | 高磁场超导体 | ||
| 摘要 | 提供一种增加结晶超导材料上临界磁场的方法，该方法包含将该结晶超导体材料转变为充分非晶态，以及随后重新压紧和结晶该材料的步骤。所述方法同时还具有提高该材料的临界电流密度的作用，并且对脆性和延展性超导体都有效。 | ||
| 申请公布号 | CN1650440A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN03809960.8 | 申请日期 | 2003.05.02 |
| 申请人 | 达拉谟大学 | 发明人 | 达米安·汉普希尔;牛洪军 |
| 分类号 | H01L39/24 | 主分类号 | H01L39/24 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种增加结晶超导材料的上临界磁场的方法，包括步骤：将所述结晶超导材料转变为充分非晶态；以及重新压紧所述材料。 | ||
| 地址 | 英国达拉谟 | ||