发明名称 |
高电压贯通型电容器、高电压贯通型电容器装置及磁控管 |
摘要 |
本发明目的在于提供一种在450MHz~1000MHz的频率范围内可将磁控管产生的无用辐射波抑制到不对周边机器造成不良影响的电平的高电压贯通型电容器、高电压贯通型电容器装置及磁控管。电介质陶瓷基体包括基体部(210)与贯通孔(211、212)。基体部(210)俯视看去在部分具有细腰部(216、217)。贯通孔(211、212)留有间隔地分别设置在隔着细腰部(216、217)的两侧。独立电极(213),在基体部(210)上附着在贯通孔(211)开口的一面。独立电极(214)附着在基体部(210)中贯通孔(212)开口的一面上。共用电极(215)附着基体部(210)中贯通孔(211、212)开口的另一面上。 |
申请公布号 |
CN1649050A |
申请公布日期 |
2005.08.03 |
申请号 |
CN200510006361.8 |
申请日期 |
2005.01.28 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
佐藤司;藤原勋;工藤亮;田中寿 |
分类号 |
H01G4/35 |
主分类号 |
H01G4/35 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
温大鹏;胡强 |
主权项 |
1、一种高电压贯通型电容器,包括电介质陶瓷基体、独立电极、共用电极,其特征在于,前述电介质陶瓷基体包括基体部与贯通孔;俯视观察时,前述基体部在中央部分具有细腰部;前述贯通孔为2个,留有间隔地分别形成在隔着前述细腰部的两侧;前述独立电极为2个,分别附着在前述基体部中前述贯通孔开口的一面上;前述共用电极附着在前述基体部中前述贯通孔开口的另一面上。 |
地址 |
日本东京都 |