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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Gebildes für integrierte Halbleiterschaltungen
摘要
申请公布号 AT259020(B) 申请公布日期 1967.12.27
申请号 AT19660002811 申请日期 1966.03.24
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人
分类号 H01L21/00;H01L21/762 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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