发明名称 |
采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容 |
摘要 |
本发明公开了属于半导体器件范围的一种采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容。在高阻硅衬底上覆盖一层热氧化层,其上是厚度为0.15~3.0μm下极板金属层,在中部的下极板4上为绝缘介质层,牺牲层将上极板支撑在下极板的两边的金属层上,使微机械可变电容上极板和下电极的间距为1~4μm。该上极板采用弯曲极板形状,厚度为0.3~3.0μm,并通过弹性系数较低的细梁结构与牺牲层支撑梁连接。该可变电容的工艺流程和传统可变电容相同,并且机械性能均与传统可变电容基本相当,而电容值调节范围优于传统微机械可变电容。 |
申请公布号 |
CN1649166A |
申请公布日期 |
2005.08.03 |
申请号 |
CN200510002224.7 |
申请日期 |
2005.01.18 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
刘泽文;雷啸锋;方杰;刘理天;李志坚 |
分类号 |
H01L29/00;H01L27/00;H01G5/00;B81B7/00 |
主分类号 |
H01L29/00 |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李光松 |
主权项 |
1.一种采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容,其特征在于:在高阻n型或p型硅衬底(1)上覆盖一层热氧化层(2),其上是作可变电容下极板(4)的金属层,在中部的可变电容下极板(4)上为绝缘介质层(3),牺牲层(5)在可变电容下极板(4)两边的金属层上,将上极板(6)支撑在下极板(4)的两边的金属层上。 |
地址 |
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