| 发明名称 |
ONE TRANSISTOR DRAM CELL STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1559141(A1) |
申请公布日期 |
2005.08.03 |
| 申请号 |
EP20030811213 |
申请日期 |
2003.08.28 |
| 申请人 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. |
发明人 |
BURNETTE, JAMES, D. |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/84;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/10 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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