插塞结构之电容器组障

摘要

一种被改良的阻障层系被揭示，用于减少插塞结构之电容器中之插塞的氧化。该阻障层系被形成于氧化钛之非传导性黏着层上。该阻障层系包括第一及第二阻障层，其中该第二阻障层覆盖该第一阻障层之上表面及侧壁。在一实施例中，该第一阻障层包含铱而该第二阻障层包含x氧化铱(IrOx)。电容器系被形成于该阻障层上。

主权项

1.一种具有插塞结构之电容器的集成电路，包括：一半导体基板，具有被形成于其表面上之一介电层；一黏着层，位于该介电层表面上；一插塞，被形成于该介电层上，该插塞表面系与该黏着层表面成共面；一电容器，被形成于该黏着层上与该插塞接触；及第一及第二传导阻障层，位于该电容器及该黏着层之间，该第一传导阻障层与该黏着层及该插塞接触，该第二传导阻障层覆盖该第一阻障层之一上表面及侧壁且与该黏着层及该电容器接触。